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东大开发在玻璃基板上溅射层积LED的技术可降LED成本OFweek半导体照明网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 13:49:42 阅读: 来源:暖手宝厂家

东大开发在玻璃基板上溅射层积LED的技术 可降LED成本 - OFweek半导体照明网

OFweek半导体照明网讯 东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究室2014年6月23日宣布,开发出了在玻璃基板上用溅射法形成GaN基LED的技术。相关论文已发表在学术杂志《ScientificReports》上。除了与现有LED相比可大幅降低制造成本之外,新技术还有可能实现用无机LED制作有机EL那样的大面积发光元件。 藤冈教授的研究室在约2英寸(直径约5cm)的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜,然后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法分别形成了AlN、n型GaN、由GaN与InGaN的多层构造构成的量子阱、p型GaN晶体。 藤冈表示,很早以前就开始开发利用溅射法制作LED的技术, 还没有发布过这些技术的详细内容,只是在累积经验 。 另外,藤冈研究室还在2008年开发出了在石墨片材上用 脉冲激励沉积法(PXD) 形成GaN晶体的技术。 此次在可称得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用溅射法形成了GaN晶体,并确认可实际发光。据介绍,分别制作了以红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三原色发光的LED。 目前还无法检测白色发光的发光效率,以及单色状态下的外部量子效率,正在对极低温条件下的内部量子效率进行评估。藤冈教授表示, 与蓝宝石基板上制作的LED相比,内部量子效率要低好几成 。今后的课题是如何将内部量子效率提高至与现有LED相当的水平。

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